[Ilustrasi Oleh Pixabay]
Samsung tidak pernah berhenti untuk berinovasi. Hal ini terbukti salah satunya dari apa yang diumumkannya baru-baru ini, bahwa mereka baru saja mengenalkan teknologi 12-layer 3D-TSV untuk pertama kalinya.
Dalam teknik elektronika, untuk membangun sebuah sistem terdapat banyak metode yang bisa digunakan. Salah satunya adalah 3D-TSV (through-silicon via), yakni koneksi listrik secara vertikal (via) yang benar-benar melewati lapisan silikon.
Biasanya, metode ini digunakan sebagai alternatif dari metode kabel dalam menghubungkan lapisan komponen untuk menciptakan sirkuit terpadu dengan konfigurasi tiga dimensi (3D).
Inovasi Samsung pun demikian. Sebagai salah satu teknologi pengemasan untuk produksi massal chip berkinerja tinggi, inovasi ini dibangun untuk memberikan akurasi yang tepat dalam menghubungkan secara vertikal 12 chip DRAM, melalui konfigurasi 3D yang terdiri lebih dari 60.000 lubang TSV.
Bedanya, teknologi baru Samsung ini membawa kemajuan substansial dalam desain komponen, di mana mampu menghadirkan ketebalan yang sangat tipis, hingga terlihat seperti produk delapan lapisan High Bandwidth Memory-2 (HBM2).
Terobosan baru ini akan membantu pelanggan merilis produk generasi berikutnya, yang memiliki kapasitas besar dengan kinerja lebih tinggi, tanpa harus mengubah desain konfigurasi sistem mereka.
Selain itu, teknologi pengemasan 3D ini juga menghadirkan waktu transmisi data yang lebih pendek antara chip dibandingkan dengan teknologi ikatan kawat yang ada saat ini, sehingga menghasilkan kecepatan yang lebih cepat dan konsumsi daya yang lebih rendah.
Hal ini cukup penting untuk sekarang ini. Seperti halnya yang ditegaskan oleh Hong-Joo Baek, yakni executive vice president of TSP (Test & System Package) di Samsung Electronics, dalam halaman pengumumannya.
Hong-Joo menyebutkan bahwa teknologi pengemasan yang bisa mengamankan semua seluk-beluk memori kinerja ultra menjadi sangat penting, dengan beragam aplikasi zaman baru, seperti kecerdasan buatan (AI) dan High Power Computing (HPC).
Dengan menggunakan teknologi 12-layer 3D-TSV, Samsung bisa menawarkan kinerja DRAM dengan konfigurasi tertinggi, untuk aplikasi yang membutuhkan data secara intensif dan kecepatan yang sangat tinggi.
Samsung akan dapat memenuhi permintaan pasar yang berkembang pesat untuk solusi HBM berkapasitas tinggi dengan teknologi TSV 3D 12-lapis mutakhir ini. Harapannya, mereka bisa memperkuat kepemimpinannya di pasar semikonduktor premium.
[Sumber: Samsung]